A IBM e os seus parceiros na pesquisa e desenvolvimento de circuitos integrados: Globalfoundries e a Samsung anunciaram o desenvolvimento de um processo de fabrico que irá originar os primeiros circuitos integrados de 5nm (nanómetros).
A técnica usada para conseguir o feito é muito semelhante à litografia ultravioleta para o desenvolvimento do primeiro chip de 7nm. No entanto, foi abandonado o desenho dos transístores em FinFET (fin filed effect) e utilizadas camadas nano folhas de silício. Esta alteração permite afinar cada circuito individual para maximizar o desempenho mesmo em espaços incrivelmente pequenos.
De facto num espaço tão pequeno, que a IBM diz que será possível encaixar 30 mil milhões de transístores num chip com a área de uma unha. Em comparação, um chip de 7nm permite 20 milhões de transístores numa área semelhante.
Ainda segundo a IBM, este novo método de fabrico dará um grande avanço aos esforços da empresa no desenvolvimento de inteligência artificial, Internet das Coisas e outras tarefas de processamento intensivo. Outra área onde estes chips podem vir a ter uma grande influência será no dos dispositivos móveis, a começar pelo grande aumento da vida das baterias.
Mas, tal como aconteceu com os dispositivos de 7nm, que só chegam em força para o ano, também vamos ter de esperar alguns anos para que os dispositivos com circuitos integrados com tecnologia de 5nm comecem a chegar aos dispositivos do dia-a-dia.
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